在半导体光刻全流程（Whole Lithography Process）中，晶圆表面粗糙度是决定光刻胶（Photoresist）涂覆均匀性、图形转移精度与芯片良率的核心前置工艺指标。化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）后的晶圆表面微观起伏，会引发光刻胶膜厚波动，进而产生线宽偏移、图形畸变等工艺失效问题，因此需采用高精度非接触检测方式完成粗糙度量化表征。
白光干涉仪（White Light Interferometer, WLI）基于低相干扫描干涉原理，垂直分辨率可达亚纳米级别，是无损三维形貌检测设备，可适配光刻前、光刻后全工序质量管控场景。相较于原子力显微镜（Atomic Force Microscope, AFM）单点小视场检测模式，WLI支持大视场扫描与图像拼接全域采样，可精准输出算术平均粗糙度（Ra）、均方根粗糙度（Rq/RMS）等核心参数，同时识别纳米级划痕、凹坑等微观缺陷。
在半导体量产产线中，WLI主要用于CMP抛光后晶圆来料筛查、光刻胶涂布前基底状态核验，可捕捉0.1nm级表面微观波动，为抛光工艺参数迭代优化给予精准数据支撑。同时可完成显影、刻蚀工序后的晶圆表面粗糙度复核，量化分析光刻全流程对晶圆表面形貌的影响。区别于易造成晶圆表面损伤的接触式台阶仪，WLI无探针接触损伤风险，兼顾超光滑晶圆检测精度与量产检测效率，是先进制程光刻配套的核心量测方案。
晶圆表面粗糙度专项分析（核心检测指标）
（图示为CMP抛光后实测数据，检测精度可达6pm=0.006nm，满足晶圆超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）检测要求，适配高端芯片晶圆精密检测场景）
（图示为CMP抛光后实测数据，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，可精准表征晶圆抛光后表面光滑度，支撑抛光工艺优化（Polishing Process Optimization），有效提升晶圆基底表面质量）
（图示为晶圆背面表面粗糙度实测数据，Ra=0.9μm，适配晶圆背面加工质量检测场景，保障晶圆背面金属化（Metallization）工艺稳定性，为后续晶圆键合（Bonding）工艺筑牢质量基础）
大视野3D白光干涉仪
大视野3D白光干涉仪依托自研核心技术，突破传统晶圆检测设备局限，实现纳米级（Nanoscale）全场景一体化精密测量，兼具高效性与高精度特性，适配半导体晶圆加工、封装全流程质量管控，重构半导体（Semiconductor）领域精密测量（Precision Measurement）行业标准，为量产质控给予权威可溯源数据支撑。
核心优势：大视野+高精度，打破半导体检测行业壁垒
设备解决传统检测设备1倍以下物镜（Objective Lens）仅可单孔使用、需双设备分别完成大视野观测与高精度测量的行业痛点。搭载0.6倍轻量化专用镜头，配备15mm超大单幅视野（Single Frame Field of View），搭配兼容4组物镜的转塔鼻轮（Turret Nose Wheel），单设备即可覆盖大视野全域观测、纳米级高精度测量双重需求，无需频繁切换检测设备，显著提升量产检测效率（Inspection Efficiency）与数据精准度（Data Accuracy），高度适配半导体规模化量产检测场景。
晶圆相关实测应用图示及说明（半导体专属）
（图示为化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盘表面金刚石颗粒共面度（Coplanarity）分析：左侧为微观放大细节图，右侧为全域共面度分析图，直观呈现设备大视野3D精密测量能力，助力研磨碟盘质量管控（Quality Control），保障晶圆整体抛光均匀性）
（图示为裸片晶圆（Bare Wafer）翘曲（BOW）、弯曲（WARP）等形变（Deformation）测量，可精准采集晶圆形变核心数据，保障晶圆加工与封装（Packaging）精度，规避封装阶段芯片破损、虚焊等工艺不良问题）
888集团 888半导体｜专业白光干涉 3D 轮廓测量方案。亚纳米精度保障，支持自动化定制；高端系列对标国际一线品牌，大视野设计，轻松应对高低反射、复杂材料测量场景。
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